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參數資料
| 型號： | W29S201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 16位的CMOS同步突發讀取快閃記憶體（具有同步脈沖讀模式的128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 21/31頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201 |
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Preliminary W29S201
Publication Release Date: April 1999
- 21 -
Revision A1
TIMING WAVEFORMS
Synchronous Burst Read Cycle Timing 1 (3-1-1-1 linear mode)
(Starting Address is Even and Ending Address is Odd)
T
CYC
CLK
T
ADVS
T
ADVH
T
KAH
2n
2k
T
CES
T
KQH
High-Z
ADV
MODE
A[16:0]
CE
OE
DQ[15:0]
DON'T CARE
UNDEFINED
T
AKS
2n+2
2n+1
2n+3
2k
2k+1
T
OLZ
T
CLZ
T
OH
T
KQV
T
MODS
2n
Load Burst Address
(Starting Address is Even 2n)
Increment
Address Counter
T
KQV
T
MODH
2k+2
2k+3
T
ADVH
T
ADVS
T
KQV
2n
2n+1
2n+2
2n+3
2k
2k
2k+1
2k+2
2k+3
Load Burst Address
(Starting Address is Even 2k)
Ending Burst Addr.
is Odd (2n+3)
DQ's Valid 2 CLK periods
after loading (ADV=Low)
DQ's Valid 2 CLK periods
after loading (ADV=Low)
Next DQ's Valid 2 CLK periods
after Increment (ADV=Hi)
Note
: The above waveform is applicable to synchronous read mode with starting random address is always Even and
ending address is always Odd address only. The
ADV
can be 1 CLK period pulse minimum, and the total wait states can be
3 CLK periods minimum. Initial output data DQ
become valid 2 CLK periods after the valid address loading started
(
ADV
=Low) & next sequential output data DQ
become valid 2 CLK periods after address increment started (
ADV
=Hi).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
| W3030 | W3030 3 V Dual-Mode IF Cellular Receiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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