- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄363881 > W29S201 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | W29S201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 16位的CMOS同步突發讀取快閃記憶體（具有同步脈沖讀模式的128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 15/31頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
Preliminary W29S201
Publication Release Date: April 1999
- 15 -
Revision A1
DC CHARACTERISTICS
DC Operating Characteristics
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNIT
MIN. TYP.
MAX.
V
DD
Assyn. Read
Current
I
CCR1
CE=OE=V
IL
, WE=V
IH
,MODE =V
IH,
all DQs open, CLK & ADV = V
IL
/V
IH
,
Address Inputs =V
IL
/V
IH
at f = 5 MHz
-
35
75
mA
V
DD
Synch Burst
Read Current
I
CCR2
CE=OE=V
IL
, WE=V
IH
,MODE =V
IL
, all
DQs open, ADV =V
IL
/V
IH
, Address
Inputs =V
IL
/V
IH,
CLK at f = F
CLK
(max.)
-
-
175
mA
V
DD
Erase or
Program Current
I
CCW
Erase or Program Operation in
Progress, all DQs open.
-
-
50
mA
Standby V
DD
Current (TTL input)
I
SB
1
CE = V
IH
, all DQs open
Other inputs = V
IL
/V
IH
-
2
3
mA
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
I
SB
2
CE = V
DD
±
0.3V, all DQs open
Other Inputs = GND
±
0.3V or V
DD
±
0.3V
-
20
200
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
= GND to V
DD
-
-
±
10
±
10
μ
A
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= GND to V
DD
-
-
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.4 mA
2.4
-
-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
| W3030 | W3030 3 V Dual-Mode IF Cellular Receiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。