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參數資料
| 型號： | W29S201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 16位的CMOS同步突發讀取快閃記憶體（具有同步脈沖讀模式的128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 16/31頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201 |
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Preliminary W29S201
- 16 -
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
. READ
T
PU
. WRITE
TYPICAL
100
5
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
CAPACITANCE
(V
DD
= 5.0V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
C
I/O
C
IN
CONDITIONS
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
MAX.
12
6
UNIT
pf
pf
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Time
Input/Output Timing Level
Output Load
0V to 3.0V
< 5 nS
1.5V/1.5V
1 TTL Gate and C
L
= 30 pF
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
D
OUT
30 pF
(Including Jig and
Scope)
Input
3V
0V
Test Point
Test Point
1.5V
1.5V
Output
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
| W3030 | W3030 3 V Dual-Mode IF Cellular Receiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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