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參數資料
| 型號： | W29S201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 16位的CMOS同步突發讀取快閃記憶體（具有同步脈沖讀模式的128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 17/31頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201 |
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Preliminary W29S201
Publication Release Date: April 1999
- 17 -
Revision A1
Assynchronous Read Cycle Timing Parameters
(V
CC
= 5.0V
±
10
%
, V
CC
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29S201-45
W29S201-55
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
45
-
55
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
45
-
55
nS
Address Access Time
T
AA
-
45
-
55
nS
Output Enable Access Time
T
OE
-
25
-
30
nS
CE Low to Active Output
T
CLZ
0
-
0
-
nS
OE Low to Active Output
T
OLZ
0
-
0
-
nS
CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
20
-
25
nS
OE High to High-Z Output
T
OHZ
-
20
-
25
nS
Output Hold Time
T
OH
0
-
0
-
nS
Note: The parameter of T
CLZ
, T
OLZ
, T
CHZ
, T
OHZ
are characterized only and is not 100% tested.
Synchronous Burst Read Cycle Timing Parameters
(V
CC
= 5.0V
±
10
%
, V
CC
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29S201-45
W29S201-55
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
CLK Frequency
F
CLK
-
50
-
40
MHz
CLK Period
T
CYC
20
-
25
-
nS
CLK High Time
T
KH
7
-
8
-
nS
CLK Low Time
T
KL
7
-
8
-
nS
CLK Rise Time
T
KLH
-
2
-
3
nS
CLK Fall Time
T
KHL
-
2
-
3
nS
CE
Setup Time to CLK
Address Setup Time to CLK
T
CES
15
-
20
-
nS
T
AKS
12
-
15
-
nS
Address Hold Time From CLK
T
AKH
2
-
2
-
nS
ADV
Setup Time to CLK
T
ADVS
12
-
15
-
nS
ADV
Hold Time From CLK
T
ADVH
2
-
2
-
nS
MODE
Setup Time to CLK
T
MODS
15
-
20
-
nS
MODE
Hold Time From CLK
CLK to Valid Output
T
MODH
5
-
5
-
nS
T
KQV
-
15
-
17
nS
Output Hold Time From CLK
T
KQH
1
-
1
-
nS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
| W3030 | W3030 3 V Dual-Mode IF Cellular Receiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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