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參數資料
| 型號： | W39V080FA |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 100萬】8的CMOS固件樞紐接口閃存 |
| 文件頁數： | 21/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FA |
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W39V080FA
Publication Release Date: Dec. 13, 2005
- 21 -
Revision A5
Programmer Interface Mode AC Characteristics, continued
8.3 Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
W39V080FA
MIN.
350
50
50
-
-
0
-
0
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
-
-
-
200
75
-
35
-
UNIT
Read Cycle Time
Row / Column Address Set Up Time
Row / Column Address Hold Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
#OE Low to Active Output
#OE High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
T
RC
T
AS
T
AH
T
AA
T
OE
T
OLZ
T
OHZ
T
OH
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
8.4 Write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
T
RST
T
AS
T
AH
T
CWH
T
WP
T
WPH
T
DS
T
DH
T
OEH
T
BP
T
PEC
T
BUSY
MIN.
1
50
50
50
100
100
50
50
0
-
-
90
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9
0.9
-
MAX.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
6
-
UNIT
μ
S
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
μ
S
S
nS
Reset Time
Address Setup Time
Address Hold Time
R/#C to Write Enable High Time
#WE Pulse Width
#WE High Width
Data Setup Time
Data Hold Time
#OE Hold Time
Byte programming Time
Sector Erase Cycle Time
(Note (c))
Program/Erase Valid to RY/#BY Delay
Note:
All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is input high and
(b) low level signal's reference level is input low. Ref. to the AC testing condition.
(c) Exclude 00H pre-program prior to erasure. (In the pre-programming step of the embedded erase algorithm, all bytes are
programmed to 00H before erasure
8.5 Data Polling and Toggle Bit Timing Parameters
W39V080FA
MIN.
-
-
50
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
40
40
-
UNIT
#OE to Data Polling Output Delay
#OE to Toggle Bit Output Delay
Toggle or Polling interval
T
OEP
T
OET
---
nS
nS
mS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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