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參數資料
| 型號： | W39V080FA |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 100萬】8的CMOS固件樞紐接口閃存 |
| 文件頁數： | 18/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FA |
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W39V080FA
-
18
-
7. DC CHARACTERISTICS
7.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to V
SS
Potential
-0.5 to +4.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°
C
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential
-0.5 to V
DD
+0.5
V
V
PP
Voltage
-0.5 to +13
V
Transient Voltage (<20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+0.5
V
Note
: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings May adversely affect the life and reliability
of the device.
7.2 Programmer interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply
Current
(read)
I
CC1
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3 MHz
-
15
20
mA
Power Supply
Current
(erase/ write)
I
CC2
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3 MHz
-
35
45
mA
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.1mA
2.4
-
-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V080FAP | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W39V080FAPZ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
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| W39V080FAQZ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W39V080FAT | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| W39V080FAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
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