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參數資料
| 型號： | W29N102C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64K的× 16位的CMOS 3.3V的快閃記憶體（64K的× 16位以3.3V的電源供電的閃速存儲器的CMOS） |
| 文件頁數： | 8/21頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29N102C |
Preliminary W29N102C
- 8 -
Command Codes for Main Memory Erase
BYTE SEQUENCE
1 Write
2 Write
3 Write
4 Write
5 Write
6 Write
ADDRESS
5555H
2AAAH
5555H
5555H
2AAAH
5555H
DATA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
Main Memory Erase Acquisition Flow
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 80
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 30
to
address 5555
Pause 1 Sec.
Exit
Notes for chip erase:
Data Format: DQ15-DQ8: Don't Care; DQ7
DQ0 (Hex)
Address Format: A14
A0 (Hex)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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