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參數(shù)資料
| 型號： | W29N102C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64K的× 16位的CMOS 3.3V的快閃記憶體（64K的× 16位以3.3V的電源供電的閃速存儲器的CMOS） |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29N102C |
Preliminary W29N102C
- 16 -
Timing Waveforms, continued
Program Cycle Timing Diagram
Address A15-0
Word 0
Word 1
Word 2
Internal Write Start
DQ15-0
CE
OE
WE
Word Program Cycle
T
BP
T
WPH
T
WP
5555
5555
2AAA
AA
A0
55
Address
Data-In
Word 3
DATA
Polling Timing Diagram
Address A15-0
DQ7/DQ15
WE
OE
CE
X
X
X
X
T
CEP
T
OEH
T
OEP
T
OES
T
EC
T
BP or
An
An
An
An
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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