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參數(shù)資料
| 型號： | W29N102C |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64K的× 16位的CMOS 3.3V的快閃記憶體（64K的× 16位以3.3V的電源供電的閃速存儲器的CMOS） |
| 文件頁數(shù)： | 13/21頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29N102C |
Preliminary W29N102C
Publication Release Date: February 1999
- 13 -
Revision A1
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM. W29N102C-55 W29N102C-70 W29N102C-90
MIN.
MAX.
MIN.
T
RC
55
-
70
T
CE
-
55
-
T
AA
-
55
-
T
OE
-
30
-
T
CLZ
0
-
0
UNIT
MAX.
-
70
70
35
-
MIN.
90
-
-
-
0
MAX.
-
90
90
40
-
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
nS
nS
nS
nS
nS
CE Low to Active Output
OE Low to Active Output
T
OLZ
0
-
0
-
0
-
nS
CE High to High-Z Output
T
CHZ
-
25
-
30
-
30
nS
OE High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
T
OHZ
-
25
-
30
-
30
nS
T
OH
0
-
0
-
0
-
nS
Write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
T
AS
T
AH
T
CS
MIN.
10
100
0
TYP.
-
-
-
MAX.
-
-
-
UNIT
nS
nS
nS
Address Setup Time
Address Hold Time
WE and CE Setup Time
WE and CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
OE High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
OE High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
CE Pulse Width
T
CP
200
-
-
nS
WE Pulse Width
T
WP
200
-
-
nS
WE High Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Word Programming Time
Erase Cycle Time
T
WPH
200
-
-
nS
T
DS
T
DH
T
BP
T
EC
100
10
-
-
-
-
-
-
nS
nS
μ
S
Sec.
30
0.1
50
1
Note: All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH
and (b) low level signal's reference level is V
IL
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29NK50ZD | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500 V - 0.11? - 29A TO-247 Fast Diode SuperMESH? MOSFET |
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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