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參數資料
| 型號： | W27C512-45 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | BOX 2.53X1.73X.65 W/3 BTNS BLK |
| 中文描述： | 64K X 8 EEPROM 12V, 45 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件頁數： | 7/15頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | W27C512-45 |
W27C512
Publication Release Date: November 1999
- 7 -
Revision A4
DC Programming Characteristics, continued
PARAMETER
SYM.
CONDITIONS
-
-
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -0.4 mA
-
-
-
LIMITS
TYP.
-
-
-
-
12.0
12.0
5.0
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
MIN.
-0.3
2.4
-
2.4
11.5
11.75
4.75
MAX.
0.8
5.5
0.45
-
12.5
12.25
5.25
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage (Verify)
Output High Voltage (Verify)
A9 Silicon I.D. Voltage
V
PP
Program Voltage
V
CC
Supply Voltage (Program)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PP
V
CP
AC PROGRAMMING/ERASE CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
5%, T
A
= 25
°
C
±
5
°
C)
PARAMETER
SYM.
T
PRT
LIMITS
TYP. MAX.
-
UNIT
nS
MIN.
50
OE/V
PP
Pulse Rise Time
Data Setup Time
-
T
DS
T
PWP
2.0
95
-
-
μ
S
μ
S
CE Program Pulse Width
100
105
CE Erase Pulse Width
Data Hold Time
T
PWE
95
100
105
mS
T
DH
T
OES
2.0
2.0
-
-
-
-
μ
S
μ
S
OE/V
PP
Setup Time
OE/V
PP
Hold Time
T
OEH
2.0
-
-
μ
S
Data Valid from CE
Data Valid from Address Change
T
DV1
25
-
1
μ
S
T
DV2
T
DFP
25
0
-
-
1
μ
S
nS
CE High to Output High Z
Address Setup Time
Address Hold Time
130
T
AS
T
AH
T
AHC
2.0
0
2.0
-
-
-
-
-
-
μ
S
μ
S
μ
S
Address Hold Time after CE High (Erase)
OE/V
PP
Valid after CE High
T
VS
2.0
-
-
μ
S
OE/V
PP
Recovery Time
Address Access Time During Erase Verify (V
CC
= 3.75V)
Output Enable Access Time during Erase Verify
(V
CC
= 3.75V)
T
VR
2.0
-
-
μ
S
T
ACV
T
OEV
-
-
-
-
250
150
nS
nS
Note: V
CC
must be applied simultaneously or before V
PP
and removed simultaneously or after V
PP
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W27C512P-45 | BOX 2.53X1.73X.65 W/4 BTNS BLK |
| W27C512P-70 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512-90 | FAN 24 DC MUFFIN MC24H3 |
| W27C520W-70 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C520W-90 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W27C512-45Z | 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 45NS 28DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W27C512-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512-90 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512P-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512P-45 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
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