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參數資料
| 型號： | W27C512-45 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | BOX 2.53X1.73X.65 W/3 BTNS BLK |
| 中文描述： | 64K X 8 EEPROM 12V, 45 ns, PDIP28 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件頁數： | 12/15頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | W27C512-45 |
W27C512
- 12 -
SMART ERASE ALGORITHM
Start
Vcc = 5V
OE/Vpp = 14V
Increment X
Last
Address
Vcc = 5V
OE/Vpp = V
Compare
All Bytes to
FFs (HEX)
Pass
Device
Increment
Address
No
Fail
Fail
Fail
Device
X = 0
A9 = 14V; A0 = V
Chip Erase 100 mS Pulse
Address = First Location
Erase
Verify
X = 20
No
Yes
Pass
Pass
Yes
IL
Vcc = 3.75V
OE/Vpp = V
IL
IL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W27C512P-45 | BOX 2.53X1.73X.65 W/4 BTNS BLK |
| W27C512P-70 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512-90 | FAN 24 DC MUFFIN MC24H3 |
| W27C520W-70 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C520W-90 | 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W27C512-45Z | 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 45NS 28DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W27C512-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512-90 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512P-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C512P-45 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
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