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參數資料
| 型號： | W39V080FATZ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 33/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FATZ |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當前第33頁第34頁第35頁
W39V080FA
Publication Release Date: Dec. 13, 2005
- 33 -
Revision A5
14. PACKAGE DIMENSIONS
14.1 32L PLCC
Notes:
L
c
1
b
2
A
H
E
E
e
b
D H
D
y
A
A
1
Seating Plane
E
G
G
D
1
13
14
20
29
32
4
5
21
30
1. Dimensions D & E do not include interlead flash.
2. Dimension b1 does not include dambar protrusion/intrusio
3. Controlling dimension: Inches
4. General appearance spec. should be based on final
Symbol
Min.
Nom.
Max.
Max.
Nom.
Min.
Dimension in Inches
Dimension in mm
A
A
A
b
1
b
c
D
E
e
G
D
G
E
H
E
L
y
θ
1
2
3.56
0.50
2.80
2.67
2.93
0.71
0.66
0.81
0.41
0.46
0.56
0.20
0.25
0.35
13.89
13.97
14.05
11.35
11.43
11.51
1.27
H
D
12.45
12.95
13.46
9.91
10.41
10.92
14.86
14.99
15.11
12.32
12.45
12.57
1.91
2.29
0.004
0.095
0.090
0.075
0.495
0.490
0.485
0.595
0.590
0.585
0.430
0.410
0.390
0.530
0.510
0.490
0.050
0.453
0.450
0.447
0.553
0.550
0.547
0.014
0.010
0.008
0.022
0.018
0.016
0.032
0.026
0.028
0.115
0.105
0.110
0.020
0.140
1.12
1.42
0.044
0.056
0
10
10
0
0.10
2.41
θ
14.2 32L STSOP (8X14mm)
Min.
Dimension in Inches
Nom.
Max.
Min.
Nom. Max.
Symbol
1.20
0.05
0.15
1.05
1.00
0.95
0.17
0.10
0.50
0.00
0
0.22
0.27
-----
0.21
12.40
8.00
14.00
0.50
0.60
0.70
0.80
0.10
3
5
0.047
0.006
0.041
0.040
0.035
0.007
0.009
0.010
0.004
-----
0.488
0.008
0.315
0.551
0.020
0.020
0.024
0.028
0.031
0.000
0.004
0
3
5
0.002
A
A
b
c
D
E
H
D
e
L
L
Y
θ
1
1
2
A
Dimension in mm
A
A
A
2
1
L
L
1
Y
E
H
D
D
c
θ
b
e
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG128M72ETSU202AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202JD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W3A41A100K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 10pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT1A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 0612 C0G 4CAPS RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 4cap NPO RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101JAT2F | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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