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參數資料
| 型號： | W39V080FATZ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 19/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FATZ |
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W39V080FA
Publication Release Date: Dec. 13, 2005
- 19 -
Revision A5
7.3 FWH interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
(read)
I
CC1
All I
out
= 0A, CLK = 33 MHz,
in FWH mode operation.
-
15
20
mA
Power Supply Current
(erase/write)
I
CC2
All I
out
= 0A, CLK = 33 MHz,
in FWH mode operation.
-
35
45
mA
Standby Current 1
Isb1
FWH4 = 0.9 V
DD
, CLK = 33 MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/ 0.1 V
DD
no internal operation
-
20
50
uA
Standby Current 2
Isb2
FWH4 = 0.1 V
DD
, CLK = 33 MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/0.1 V
DD
no internal operation.
-
3
10
mA
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.3 V
DD
V
Input Low Voltage of
#INIT
V
ILI
-
-0.5
-
0.2 V
DD
V
Input High Voltage
V
IH
-
0.5 V
DD
-
V
DD
+0.5
V
Input High Voltage of
#INIT Pin
V
IHI
-
1.35 V
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 1.5 mA
-
-
0.1 V
DD
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.5 mA
0.9 V
DD
-
-
V
7.4 Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
T
PU
. READ
100
μ
S
Power-up to Write Operation
T
PU
. WRITE
5
mS
7.5 Capacitance
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0V
12
pf
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
6
pf
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG128M72ETSU202AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202JD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W3A41A100K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 10pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT1A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 0612 C0G 4CAPS RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 4cap NPO RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101JAT2F | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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