- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄363883 > W39V080FAT (WINBOND ELECTRONICS CORP) 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | W39V080FAT |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 18/35頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FAT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁
W39V080FA
-
18
-
7. DC CHARACTERISTICS
7.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to V
SS
Potential
-0.5 to +4.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°
C
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential
-0.5 to V
DD
+0.5
V
V
PP
Voltage
-0.5 to +13
V
Transient Voltage (<20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+0.5
V
Note
: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings May adversely affect the life and reliability
of the device.
7.2 Programmer interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN. TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply
Current
(read)
I
CC1
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3 MHz
-
15
20
mA
Power Supply
Current
(erase/ write)
I
CC2
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3 MHz
-
35
45
mA
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= V
SS
to V
DD
-
-
90
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.1mA
2.4
-
-
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3EG128M72ETSU202AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202JD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3A41A100K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 10pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT1A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 0612 C0G 4CAPS RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100volts 10pF 10% 4cap NPO RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101JAT2F | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。