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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W39V080FAT |
| 廠(chǎng)商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/35頁(yè) |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | W39V080FAT |
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W39V080FA
-
14
-
6.16 Embedded Erase Algorithm
Start
Write Erase Command Sequence
(see below)
Erasure Completed
#Data Polling or Toggle Bit
5555H/AAH
5555H/AAH
2AAAH/55H
2AAAH/55H
5555H/80H
Sector Address/30H
(Address/Command):
Individual Sector Erase
Command Sequence
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3EG128M72ETSU202AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202D3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU202JD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
| W3EG128M72ETSU262AJD3 | 1GB - 128Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED ECC w/PLL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W39V080FATZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W3A41A100K4T2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 10pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長(zhǎng)度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT1A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100volts 10pF 10% 0612 C0G 4CAPS RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長(zhǎng)度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A100KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100volts 10pF 10% 4cap NPO RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長(zhǎng)度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列:PG |
| W3A41A101JAT2F | 功能描述:電容器陣列與網(wǎng)絡(luò) 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數(shù)量:2 工作溫度范圍: 外殼長(zhǎng)度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類(lèi)型:SMD/SMT 系列:PG |
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