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參數資料
| 型號： | W28V400B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8/256K × 16）SMARTVOLTA通用閃存 |
| 文件頁數： | 46/48頁 |
| 文件大小： | 1822K |
| 代理商： | W28V400B |
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W28V400B/T
- 46 -
Rise and Fall Time
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
V
DD
Rise Time (Note 1)
t
VR
0.5
30000
μ
S/ V
Input Signal Rise Time (Note 1, 2)
t
R
1
μ
S/ V
Input Signal Fall Time (Note 1, 2)
t
F
1
μ
S/ V
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. This specification is applied for not only the device power-up but also the normal operations.
t
R
(Max.) and
t
F
(Max.) for
#RESET are 100
μ
S/V
Glitch Noises
Do not input the glitch noises which are below V
IH
(Min.) or above V
IL
(Max.) on address, data, reset,
and control signals, as shown in Figure 19 (b). The acceptable glitch noises are illustrated in Figure 19
(a).
Input Singal
V
IH
(Min.)
Input Singal
V
IH
(Min.)
V
IL
(Max.)
Input Singal
V
IL
(Max.)
Input Singal
(a) Acceptable Glitch Noises
(b) NOT Acceptable Glitch Noises
Figure 19. Waveform for Glitch Noises
See the "DC CHARACTERISTICS" described in specifications for V
IH
(Min.) and V
IL
(Max.).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W28V400BT85C | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400T | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400TT85C | 4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W29C011AP-15 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C011AS-15 | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W28V400BT85C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400T | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28V400TT85C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:4M(512K x 8/256K x 16) SMARTVOLTAGE FLASH MEMORY |
| W28WH | 制造商:ETERNA 功能描述:TRACKLIGHT, FLEXIBLE TRACK COUPLER |
| W28-X01B-3 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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