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參數資料
| 型號： | W39V040AP |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 15/34頁 |
| 文件大小： | 384K |
| 代理商： | W39V040AP |
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W39V040A
Publication Release Date: December 19, 2002
- 15 -
Revision A2
LPC Interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
I
CC
All I
out
= 0A, CLK = 33 MHz,
in LPC mode operation.
-
12.5
20
mA
CMOS Standby
Current
Isb1
#LFRAM = 0.9 V
DD
, CLK = 33 MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/ 0.1 V
DD
-
5
25
μ
A
TTL Standby Current
Isb2
#LFRAM = 0.1 V
DD
, CLK = 33 MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/ 0.1 V
DD
-
3
10
mA
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.3 V
DD
V
Input Low Voltage of
#INIT Pin
V
ILI
-
-0.5
-
0.2 V
DD
V
Input High Voltage
V
IH
-
0.5
V
DD
-
V
DD
+
0.5
V
Input High Voltage of
#INIT Pin
V
IHI
-
1.35V
-
V
DD
+
0.5
V
Output Low Voltage
V
OL1
I
OL
= 1.5 mA
-
-
0.1
V
DD
V
Output High Voltage
V
OH1
I
OH
= -0.5 mA
0.9
V
DD
-
V
DD
V
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
T
PU
. READ
100
μ
S
Power-up to Write Operation
T
PU
. WRITE
5
mS
Capacitance
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0V
12
pF
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
6
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V040AQ | 512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| W39V040BQ | W39V040B |
| W39V040BQZ | W39V040B |
| W39V040B | W39V040B |
| W39V040BP | W39V040B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W39V040AQ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| W39V040B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
| W39V040B_07 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K × 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| W39V040BP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
| W39V040BPZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:W39V040B |
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