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參數資料
| 型號： | W29F102Q-55B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 14 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 18/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 210K |
| 代理商： | W29F102Q-55B |
W29F102
- 18 -
Timing Waveforms, continued
Chip Erase Timing Diagram
SW2
SW1
SW0
Address A15-0
DQ15-0
CE
OE
WE
SW3
SW4
SW5
Internal Erase starts
Six-word code for 5V-only software
chip erase
T
WP
T
WPH
T
EC
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX10
Main Memory Erase Timing Diagram
SW2
SW1
SW0
Address A15-0
DQ15-0
CE
OE
WE
SW3
SW4
SW5
Internal Erase starts
Six-word code for 5V-only software
Main Memory Erase
T
WP
T
WPH
T
EC
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
XXAA
XX55
XX80
XXAA
XX55
XX30
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70 | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F102Q-70B | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W29N102C | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F102Q-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29GL032C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL032CB7A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
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