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參數資料
| 型號： | W29F102Q-55B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 14 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 12/21頁 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | W29F102Q-55B |
W29F102
- 12 -
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
. READ
T
PU
. WRITE
TYPICAL
100
5
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
CAPACITANCE
(V
DD
= 5.0V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
C
I/O
C
IN
CONDITIONS
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
MAX.
12
6
UNIT
pf
pf
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Time
Input/Output Timing Level
Output Load
0V to 3.0V
< 5 nS
1.5V/1.5V
1 TTL Gate and C
L
= 30 pF
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
D
OUT
30 pF
(Including Jig and
Scope)
Input
3V
0V
Test Point
Test Point
1.5V
1.5V
Output
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70 | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F102Q-70B | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W29N102C | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F102Q-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29GL032C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL032CB7A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
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