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參數資料
| 型號： | W29EE012 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, UUC |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數： | 2/19頁 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | W29EE012 |
W29EE012
- 2 -
PIN CONFIGURATIONS
BLOCK DIAGRAM
1
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3
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5
6
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A6
A3
A2
A1
A0
NC
A16
A15
A12
A7
A5
A4
DQ0
DQ1
DQ2
GND
V
#WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DD
5
6
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9
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13
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
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D
Q
1
D
Q
2
G
N
D
D
Q
3
D
Q
4
D
Q
5
D
Q
6
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
A
1
2
A
1
6
N
C
V
D
D
#
W
E
N
C
A
1
5
DIP
32-pin
CONTROL
OUTPUT
BUFFER
DECODER
CORE
ARRAY
#CE
#OE
#WE
A0
.
.
A16
.
DQ0
DQ7
V
DD
V
SS
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
PIN NAME
A0
A16
DQ0
DQ7
#CE
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Chip Enable
#OE
Output Enable
#WE
Write Enable
V
DD
Power Supply
GND
Ground
NC
No Connection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29EE512Q-70 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-70B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90 | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512Q-90B | 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512P-12 | Multiple Conductor Wire; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Approval Categories:UL NEC/CUL,CEC; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29EE512 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29EE512-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29EE512P-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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