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參數資料
型號: W29EE012
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: PROM
英文描述: 128K X 8 CMOS FLASH MEMORY
中文描述: 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, UUC
封裝: DIE
文件頁數: 18/19頁
文件大小: 242K
代理商: W29EE012
W29EE012
- 18 -
BONDING PAD DIAGRAM
X
Y
4
A12
A7
4
5
A14
30
31
#WE
A13
29
3
A15 A16
2
1
28
A8
27
A9
10
A2
#CE
23
#OE
25
24
A10
RA8014
15
DQ2
16
GND
13
DQ0DQ1
14
12
A0
9
A3
A5
6
7
A4
A6
6
GND
17s
-1
17s
-2
GND
21
DQ6
22
DQ7
20
DQ5
18
DQ3DQ4
19
11
A1
26
A11
32
33s
-2
Vcc Vcc
33s
-1
Vcc
PAD NO.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17S-1
17S-2
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33S-1
33S-2
X
Y
-187.04
-380.84
-517.64
-1121.73
-1258.52
-1484.75
-1484.75
-1484.75
-1453.92
-1453.92
-1453.92
-1240.62
-977.19
-727.22
-504.26
-264.72
-86.90
-1.70
286.06
509.01
758.98
981.94
1231.90
1469.29
1468.29
1469.29
1476.60
1476.60
1476.60
1311.85
891.00
523.36
310.36
180.16
94.96
1920.30
1920.30
1920.30
1920.30
1920.30
1901.22
1713.42
1576.62
-1577.46
-1742.70
-1879.50
-1923.06
-1921.98
-1921.98
-1921.98
-1900.20
-1900.20
-1900.20
-1909.98
-1909.98
-1909.98
-1909.98
-1909.98
-1897.26
-1708.32
-1571.52
1564.62
1752.42
1889.22
1920.30
1920.30
1920.30
1914.24
1914.24
1914.24
Note: For bare chip form (C.O.B.) applications, the substrate must be connected to V
DD
or left floating in the PCB layout.
相關PDF資料
PDF描述
W29EE512Q-70 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512Q-70B 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512Q-90 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512Q-90B 64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512P-12 Multiple Conductor Wire; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Approval Categories:UL NEC/CUL,CEC; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數
參數描述
W29EE512 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY
W29EE512-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
W29EE512-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
W29EE512-90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
W29EE512P-12 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 8 CMOS FLASH MEMORY