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參數資料
| 型號： | W29C022 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 256K x 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K × 8的CMOS閃存 |
| 文件頁數： | 11/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 166K |
| 代理商： | W29C022 |
W29C022
Publication Release Date: March 26, 2002
- 11 -
Revision A3
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
. READ
T
PU
. WRITE
TYPICAL
100
5
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
CAPACITANCE
(V
DD
= 5.0V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
C
DQ
C
IN
CONDITIONS
V
DQ
= 0V
V
IN
= 0V
MAX.
12
6
UNIT
pF
pF
DQ Pin Capacitance
Input Pin Capacitance
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
for 90 nS and 120 nS; V
DD
= 5.0V
±
5% for 70 nS)
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Time
Input/Output Timing Level
Output Load
0V to 3V
<5 nS
1.5V/1.5V
1 TTL Gate and C
L
= 100 pF for 90/120 nS
C
L
= 30 pF for 70 nS
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
D
OUT
100 pF for 90/120 nS
Input
3V
0V
Test Point
Test Point
1.5V
1.5V
Output
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29C040T-90 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-90 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-12 | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040P-12B | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29C040 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C040-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-12N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| W29C040-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX8|CMOS|DIP|32PIN|PLASTIC |
| W29C040-90B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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