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參數資料
| 型號： | W28F641BB80L |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64MBIT (4MBIT 】 16) PAGE MODE DUAL WORK FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 文件頁數： | 18/31頁 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | W28F641BB80L |
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W28F641B/T
DC Characteristics
V
DD
= 2.7V to 3.6V
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
Min.
Typ.
Max.
UNIT
Input Load Current
(note 1)
I
LI
-1.0
+1.0
μ
A
Output Leakage Current
(note1)
I
LO
V
DD
= V
DD
Max.,
V
DDQ
= V
DDQ
Max.,
V
IN
/V
OUT
= V
DDQ
or V
SS
-1.0
+1.0
μ
A
V
DD
Standby Current
(note 1)
I
CCS
V
DD
= V
DD
Max. #CE =
#RESET = V
DDQ
±
0.2V,
#WP = V
DDQ
or V
SS
4
20
μ
A
V
DD
Automatic Power Saving Current
(note 1, 4)
I
CCAS
V
DD
= V
DD
Max. #CE = V
SS
±
0.2V, #WP = V
DDQ
or V
SS
4
20
μ
A
V
DD
Reset Power-Down Current
(note 1)
I
CCD
#RESET = V
SS
±
0.2V
4
20
μ
A
Average V
DD
Read Current
Normal Mode (note1, 7)
15
25
mA
Average V
DD
Read Current
Page Mode (note1, 7)
8 Word
Read
I
CCR
V
DD
= V
DD
Max.,
#CE = V
IL
, #OE = V
IH
,
f = 5 MHz
5
10
mA
V
PP
= V
PPH1
20
60
mA
V
DD
(Page Buffer) Program Current
(note 1, 5, 7)
I
CCW
V
PP
= V
PPH2
10
20
mA
V
PP
= V
PPH1
10
30
mA
V
DD
Block Erase, Full Chip Erase
Current (note 1, 5, 7)
I
CCE
V
PP
= V
PPH2
10
30
mA
V
DD
(Page Buffer) Program or Block
Erase Suspend Current (note 1, 2, 7)
I
CCWS
I
CCES
#CE = V
IH
10
200
μ
A
V
PP
Standby or Read Current
(note 1, 6, 7)
I
PPS
I
PPR
V
PP
≤
V
DD
2
5
μ
A
V
PP
= V
PPH1
2
5
μ
A
V
PP
(Page Buffer) Program Current
(note 1, 5, 6, 7)
I
PPW
V
PP
= V
PPH2
10
30
mA
V
PP
= V
PPH1
2
5
μ
A
V
PP
Block Erase, Full Chip Erase
Current (note 1, 5, 6, 7)
I
PPE
V
PP
= V
PPH2
5
15
mA
V
PP
= V
PPH1
2
5
μ
A
V
PP
(Page Buffer) Program Suspend
Current (note 1, 6, 7)
I
PPWS
V
PP
= V
PPH2
10
200
μ
A
V
PP
= V
PPH1
2
5
μ
A
V
PP
Block Erase Suspend Current (note
1, 6, 7)
I
PPES
V
PP
= V
PPH2
10
200
μ
A
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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