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參數資料
| 型號： | IRF9Z25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.9A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 8.9AI（四）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | IRF9Z25 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z32 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z34 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z34STRL | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRF9Z34STRR | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9Z30 | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z30PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z32 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETS |
| IRF9Z34 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z34L | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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