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參數資料
| 型號： | IRF9Z34STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 18A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | IRF9Z34STRL |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z34STRR | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRF9Z35 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
| IRF9613 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-220AB |
| IRF9513 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRFBC32 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9Z34STRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z34STRLPBF VIS | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| IRF9Z34STRR | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z34STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
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