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參數資料
| 型號： | FMMTA64 |
| 廠商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS |
| 中文描述： | SOT23封裝進步黨硅平面達林頓晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | FMMTA64 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 2 MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAIL
FMMTA63 - Z2U
FMMTA64 - Z2V
COMPLEMENTARY TYPES FMMTA63 - FMMTA13
FMMTA64 - FMMTA14
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-10
V
Peak Pulse Current
I
CM
-800
mA
Continuous Collector Current
I
C
-500
mA
Peak Base Current
I
BM
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
FMMTA63
FMMTA64
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-30
-30
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
-30
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
-10
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CB
=-30V, I
E
=0
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
CE
=-10V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
5K
10K
10K
20K
I
C
=-10mA, V
CE
=5V*
I
C
=-100mA, V
CE
=5V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-1.5
-1.5
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-2.0
-2.0
V
I
C
=-100mA, I
B
=-0.1mA*
Transition
Frequency
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FZTA63 datasheet.
f
T
125
125
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=20MHz
FMMTA63
FMMTA64
3 - 178
C
B
E
SOT23
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTA64 | PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
| FMMTH10 | NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR |
| FMMTL618 | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL619 | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL717 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMTA64TA | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FMMTA64TC | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FMMTA70 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| FMMTA70TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTA70TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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