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參數資料
| 型號： | FMMTL618 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1250 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | FMMTL618 |
C
B
E
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 – NOVEMBER 1997
FEATURES
Very low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
=140m
at 1.25A
COMPLEMENTARY TYPE –
FMMTL718
PARTMARKING DETAIL –
L68
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
60
V
Collector-Emitter Voltage
20
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
1.25
A
Peak Pulse Current
4
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
FMMTL618
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMTL619 | NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL717 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL718 | PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMV105G | TTL |
| FMN-G14S | PCB Header; No. of Contacts:36; Pitch Spacing:0.1"; No. of Rows:1; Series:929; Body Material:Glass-Filled Polyester; Contact Material:Copper Alloy; Contact Plating:Gold; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMTL618TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL618TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMTL619 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL619_05 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FMMTL619TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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