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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W49F020-90 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDIP32 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 11/21頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | W49F020-90 |
Preliminary W49F020
Publication Release Date: October 1999
- 11 -
Revision A1
Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
T
PU
. READ
T
PU
. WRITE
TYPICAL
100
5
UNIT
μ
S
mS
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
CAPACITANCE
(V
DD
= 5.0V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
I/O Pin Capacitance
Input Capacitance
SYMBOL
C
I/O
C
IN
CONDITIONS
V
I/O
= 0V
V
IN
= 0V
MAX.
12
6
UNIT
pf
pf
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Time
Input/Output Timing Level
Output Load
0V to 3.0V
< 5 nS
1.5V/1.5V
1 TTL Gate and C
L
= 100 pF for 90nS
C
L
= 30 pF for 70nS
AC Test Load and Waveform
+5V
1.8K
1.3K
D
OUT
30 pF for 70nS
100 pF for 90nS
(Including Jig and
Scope)
Input
3V
0V
Test Point
Test Point
1.5V
1.5V
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W49F020-90B | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-70 | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-70B | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-90 | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-90B | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W49F020-90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-70 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-90 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020P-90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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