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參數資料
| 型號： | W49F002UP70B |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數： | 9/23頁 |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | W49F002UP70B |
W49F002U
Publication Release Date: April 2000
- 9 -
Revision A2
Command Codes for Sector Erase
BYTE SEQUENCE
1 Write
2 Write
3 Write
4 Write
5 Write
6 Write
ADDRESS
5555H
2AAAH
5555H
5555H
2AAAH
SA*
DATA
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
Sector Erase Acquisition Flow
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 80
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 30
to
address SA*
Exit
Pause T
EC
Notes for chip erase:
Data Format: DQ7
DQ0 (Hex)
Address Format: A14
A0 (Hex)
SA : For details, see the page 6 .
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W49F002UP90B | Reed Relay; Contacts:SPST; Contact Carry Current:1.5A; Coil Voltage DC Max:12V; Relay Terminals:Thru Hole; Switching Current Max:0.5A; Switching Voltage Max:200V; Contact Carrying Power:10W; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| W49F020Q-70 | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020 | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020-70B | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020-90 | 256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W49F002UP90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT12B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F002UT90B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
| W49F020 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256K X 8 CMOS FLASH MEMORY |
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