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參數資料
| 型號： | W39V080ATZ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3.3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 18/34頁 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | W39V080ATZ |
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W39V080A
- 18 -
9.3 LPC interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
(read)
I
CC1
All I
out
= 0A, CLK = 33 MHz,
in LPC mode operation.
-
15
20
mA
Power Supply Current
(erase/write)
I
CC2
All I
out
= 0A, CLK = 33 MHz,
in LPC mode operation.
-
35
45
mA
Standby Current 1
Isb1
#LFRAME = 0.9 V
DD
, CLK = 33
MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/ 0.1 V
DD
no internal operation
-
20
50
uA
Standby Current 2
Isb2
#LFRAME = 0.1 V
DD
, CLK = 33
MHz,
all inputs = 0.9 V
DD
/0.1 V
DD
no internal operation.
-
3
10
mA
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.5
-
0.3 V
DD
V
Input Low Voltage of
#INIT
V
ILI
-
-0.5
-
0.2 V
DD
V
Input High Voltage
V
IH
-
0.5 V
DD
-
V
DD
+0.5
V
Input High Voltage of
#INIT Pin
V
IHI
-
1.35 V
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 1.5 mA
-
-
0.1 V
DD
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.5 mA
0.9 V
DD
-
-
V
9.4 Power-up Timing
PARAMETER
SYMBOL
TYPICAL
UNIT
Power-up to Read Operation
T
PU
. READ
100
μ
S
Power-up to Write Operation
T
PU
. WRITE
5
mS
10. CAPACITANCE
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MAX.
UNIT
I/O Pin Capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0V
12
pf
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
6
pf
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| W39V080FAQ | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
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參數描述 |
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