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參數資料
| 型號： | W39V080A |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 1M 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC INTERFACE |
| 中文描述： | 100萬】8的CMOS LPC接口閃存 |
| 文件頁數： | 17/34頁 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | W39V080A |
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W39V080A
Publication Release Date: Dec. 28, 2005
- 17 -
Revision A4
9. DC CHARACTERISTICS
9.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to V
SS
Potential
-0.5 to +4.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°
C
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential
-0.5 to V
DD
+0.5
V
V
PP
Voltage
-0.5 to +13
V
Transient Voltage (<20 nS) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+0.5
V
Note:
Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings May adversely affect the life and reliability
of the device.
9.2 Programmer interface Mode DC Operating Characteristics
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
LIMITS
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power Supply Current
(read)
ICC1
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3
MHz
-
15
20
mA
Power Supply Current
(erase/ write)
ICC2
In Read or Write mode, all DQs open
Address inputs = 3.0V/0V, at f = 3
MHz
-
35
45
mA
Input Leakage Current
ILI
VIN = VSS to VDD
-
-
90
μ
A
Output Leakage
Current
ILO
VOUT = VSS to VDD
-
-
90
μ
A
Input Low Voltage
VIL
-
-0.5
-
0.8
V
Input High Voltage
VIH
-
2.0
-
VDD
+0.5
V
Output Low Voltage
VOL IOL = 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
VOH IOH = -0.1mA
2.4
-
-
V
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PDF描述 |
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