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參數資料
| 型號： | W39V040FA |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| 中文描述： | 為512k × 8的CMOS固件樞紐INERFACE閃存 |
| 文件頁數： | 11/36頁 |
| 文件大小： | 518K |
| 代理商： | W39V040FA |
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W39V040FA
Publication Release Date: December 19, 2002
- 11 -
Revision A2
Embedded Erase Algorithm
Start
Write Erase Command Sequence
(see below)
Erasure Completed
#Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
5555H/AAH
5555H/AAH
2AAAH/55H
2AAAH/55H
5555H/80H
5555H/10H
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command):
5555H/AAH
5555H/AAH
2AAAH/55H
2AAAH/55H
5555H/80H
Sector Address/30H
(Address/Command):
5555H/AAH
5555H/AAH
2AAAH/55H
2AAAH/55H
5555H/80H
Page Address/50H
Individual Page Erase
Command Sequence
(Address/Command):
Individual Sector Erase
Command Sequence
Pause T
EC
/T
SEC
/T
PEC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W39V040FAP | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAQ | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAT | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FB | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
| W39V040FBP | 512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W39V040FAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAPZ | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 11NS 32PLCC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W39V040FAQ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FAT | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INERFACE |
| W39V040FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512K X 8 CMOS FLASH MEMORY WITH FWH INTERFACE |
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