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參數(shù)資料
| 型號： | W29F201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | × 16位的CMOS 128K的閃存（128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 12/23頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | W29F201 |
Preliminary W29F201
Publication Release Date: December 1998
- 12 -
Revision A1
DC CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Power Supply Voltage to V
ss
Potential
-0.5 to +7.0
V
Operating Temperature
0 to +70
°
C
°
C
V
Storage Temperature
-65 to +150
D.C. Voltage on Any Pin to Ground Potential except OE
-0.5 to V
DD
+1.0
Transient Voltage (<20 nS ) on Any Pin to Ground Potential
-1.0 to V
DD
+1.0
V
Voltage on OE Pin to Ground Potential
-0.5 to 12.5
V
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability of the
device.
DC Operating Characteristics
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNIT
MIN. TYP.
MAX.
Power Supply
Current
I
CC
CE=OE= V
IL
, WE= V
IH
, all DQs open
Address inputs = V
IL
/V
IH
, at f = 5 MHz
-
25
50
mA
Standby V
DD
Current (TTL input)
I
SB
1
CE = V
IH
, all DQs open
Other inputs = V
IL
/V
IH
-
2
3
mA
Standby V
DD
Current
(CMOS input)
I
SB
2
CE = V
DD
-0.3V, all DQs open
Other inputs = V
DD
-0.3V/GND
-
20
100
μ
A
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= GND to V
DD
-
-
10
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
V
OUT
= GND to V
DD
-
-
10
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.0
-
V
DD
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.4 mA
2.4
-
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29N102C | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W29GL032C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL032CB7A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
| W29GL032CB7S | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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