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參數資料
| 型號： | W29F102Q-70 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 64K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 10 X 14 MM, TSOP-40 |
| 文件頁數： | 7/21頁 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | W29F102Q-70 |
W29F102
Publication Release Date: June 1999
- 7 -
Revision A4
Command Codes for Chip Erase
BYTE SEQUENCE
1 Write
2 Write
3 Write
4 Write
5 Write
6 Write
ADDRESS
5555H
2AAAH
5555H
5555H
2AAAH
5555H
DATA
AAH
55H
80H
AAH
55H
10H
Chip Erase Acquisition Flow
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Load data 80
to
address 5555
Load data AA
to
address 5555
Load data 55
to
address 2AAA
Exit
Pause 1 Sec.
Load data 10
to
address 5555
Notes for chip erase:
Data Format: DQ15-DQ8: Don't Care ; DQ7
DQ0 (Hex)
Address Format: A14
A0 (Hex)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70B | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29F201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory(128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W29N102C | 64K×16bit CMOS 3.3V Flash Memory(64K×16位以3.3V電源供電的CMOS閃速存儲器) |
| W29S201 | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29F102Q-70B | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29GL032C | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:32M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE |
| W29GL032CB7A | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W29GL032CB7ATR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:PF, 32M-BIT, 4KB UNIFORM SECTO |
| W29GL032CB7B | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 64LFBGA |
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