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參數資料
| 型號： | W29C101 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K×16bit CMOS Flash Memory(64K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | × 16位的CMOS 64K的快閃記憶體（64K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 10/19頁 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | W29C101 |
W29C101
- 10 -
AC Characteristics, continued
Read Cycle Timing Parameters
(V
DD
= 5.0V
±
10
%
, V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W29C101-70
W29C101-90
W29C101-12
UNIT
MIN.
70
-
-
-
-
MAX.
-
70
70
35
25
MIN.
90
-
-
-
-
MAX.
-
90
90
45
25
MIN.
120
-
-
-
-
MAX.
-
120
120
60
30
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CHZ
nS
nS
nS
nS
nS
CE High to High-Z Output
OE High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
T
OHZ
-
25
-
25
-
30
nS
T
OH
0
-
0
-
0
-
nS
Byte/Page-write Cycle Timing Parameters
PARAMETER
SYMBOL
T
WC
T
AS
T
AH
T
CS
MIN.
-
0
50
0
TYP.
-
-
-
-
MAX.
10
-
-
-
UNIT
mS
nS
nS
nS
Write Cycle (erase and program)
Address Setup Time
Address Hold Time
WE and CE Setup Time
WE and CE Hold Time
T
CH
0
-
-
nS
OE High Setup Time
T
OES
0
-
-
nS
OE High Hold Time
T
OEH
0
-
-
nS
CE Pulse Width
T
CP
70
-
-
nS
WE Pulse Width
T
WP
70
-
-
nS
WE High Width
Data Setup Time
Data Hold Time
Byte Load Cycle Time
T
WPH
100
-
-
nS
T
DS
T
DH
T
BLC
50
0
-
-
-
-
-
-
nS
nS
μ
S
150
Notes:
All AC timing signals observe the following guidelines for determining setup and hold times:
(a) High level signal's reference level is V
IH.
(b) Low level signal's reference level is V
IL
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W29C102Q-70B | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C102 | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C102-12 | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C102-12B | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
| W29C102-70 | 64K 16 CMOS FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W29C101-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-12B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-70B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| W29C101-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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