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參數資料
| 型號： | K6T1008C2E-GB70 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128Kx8位低功耗CMOS靜態RAM |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | K6T1008C2E-GB70 |
CMOS SRAM
K6T1008C2E Family
Revision 3.0
March 2000
9
PACKAGE DIMENSIONS
32 DUAL INLINE PACKAGE (600mil)
Units: millimeters(inches)
0~15
°
#1
#32
13.60
±
0.20
0.535
±
0.008
41.91
±
0.20
1.650
±
0.008
( 0.075
1
0
MAX
42.31
1.666
0.25
+0.10
0.010
+0.004
2.54
0.100
MAX
3.81
±
0.20
0.150
±
0.008
5.08
0.200
MIN
0.015
0.38
0.130
±
0.012
3.30
±
0.30
#16
#17
1.52
±
0.10
0.060
±
0.004
0.46
±
0.10
0.018
±
0.004
32 PLASTIC SMALL OUTLINE PACKAGE (525mil)
0~8
°
#32
20.47
±
0.20
0.806
±
0.008
MAX
20.87
0.822
MAX
2.74
±
0.20
0.108
±
0.008
3.00
0.118
MIN
0.002
0.05
0.004 MAX
0.10 MAX
#1
( 0.028
1
0
11.43
±
0.20
0.450
±
0.008
0.80
±
0.20
0.031
±
0.008
0.20
+0.10
0.008
+0.004
14.12
±
0.30
0.556
±
0.012
#17
#16
1.27
0.050
0.41
+0.100
0.016
-0.002
+0.004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6T1008C2E-GF55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GF70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GL55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GL70 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GP55 | 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K6T1008C2E-GB70000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP |
| K6T1008C2E-GB70T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 70ns 32-Pin SOP T/R |
| K6T1008C2E-GF55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| K6T1008C2E-GF55000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| K6T1008C2EGF70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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