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參數(shù)資料
型號: IS42S8800
英文描述: 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
中文描述: 2(1)字× 8(16)位× 4銀行(64兆位)同步動態(tài)隨機存儲器
文件頁數(shù): 20/68頁
文件大小: 1526K
代理商: IS42S8800
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Burst lengh = 4
CLK
Command
CAS latency = 2
DQ
Command
CAS latency = 3
DQ
Remark READA means READ with AUTO PRECHARGE
Hi - Z
Auto precharge starts
QB0
QB3
QB2
QB1
READA B
READA B
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Auto precharge starts
Hi - Z
T8
QB0
QB3
QB2
QB1
No New Command to Bank B
No New Command to Bank B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S8800L 2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
IS42S16800A-10B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S32400A-10B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42LS32400A-10BI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-10BI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S8800L 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:2(1)M words x 8(16) bits x 4 banks (64-mbit) synchronous dynamic ram
IS42SM 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM
IS42SM16160D-7BL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42SM16160D-7BLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42SM16160D-7BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube