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參數資料
| 型號： | IRLL014N |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管） |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | IRLL014N |
IRLL014N
www.irf.com
5
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
10V
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
S INGLE PU LSE
(THE RMAL RES PONSE )
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak TJ
D M
thJA
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
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