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參數資料
| 型號： | IRLBA1304P |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | IRLBA1304P |
IRLBA1304/P
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
4.5 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
41A
71A
100A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLBL1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AA |
| IRLC1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLC9024N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLF110 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRLF130 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLBA1304PPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLBA3803 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLBA3803/P | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package |
| IRLBA3803P | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRLBA3803PPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 179A, 5 MOHM, 93.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-273AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 179A 3PIN TO-273AA - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 179A SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:179A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 179A, SUPER-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
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