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參數資料
| 型號： | IRL6903 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應管） |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IRL6903 |
IRL6903
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
SD
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLBA1304P | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package |
| IRLBA1304P | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRLBL1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AA |
| IRLC1304 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| IRLC9024N | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | CHIP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRL6903L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRL7833 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRL7833LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 150A 3.8mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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