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參數資料
| 型號： | IRL631 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 8A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | IRL631 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL640S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
| IRL641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| IRL6903 | |
| IRL6903L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRL6342PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL6342TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL6372PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL6372TRPBF | 功能描述:MOSFET DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL640 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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