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參數資料
| 型號： | IRL530NL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-262AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 17A條（丁）|對262AA |
| 文件頁數： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | IRL530NL |
IRL530NS/L
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.0A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
140
740 1100
1.3
210
V
ns
nC
Starting T
J
= 25°C, L = 3.1mH
R
G
= 25
, I
AS
= 9.0A. (See Figure 12)
I
SD
≤
9.0A, di/dt
≤
540A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRL530N data and test conditions
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended soldering techniques refer to application note #AN-994.
Source-Drain Ratings and Characteristics
S
D
G
17
60
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.122 –––
–––
––– 0.100
–––
––– 0.120
–––
––– 0.150
1.0
–––
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
–––
53
–––
30
–––
26
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.0A
V
GS
= 5.0V, I
D
= 9.0A
V
GS
= 4.0V, I
D
= 8.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 9.0A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 9.0A
V
DS
= 80V
V
GS
= 5.0V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 9.0A
R
G
= 6.0
,
V
GS
= 5.0V
R
D
= 5.5
,
See Fig. 10
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
2.0
–––
25
250
100
-100
34
4.8
20
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
800
160
90
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
S
Internal Source Inductance
7.5
ns
nH
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL530S | |
| IRL531 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220AB |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRL530NSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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