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參數資料
| 型號： | IRL3502S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 元件分類： | DC/DC變換器 |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET,Ideal for CPU Core DC-DC Converters(HEXFET功率MOS場效應管,理想用于CPU 核心 DC-DC 轉換器) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET，為CPU核心區的理想- DC轉換器（馬鞍山的HEXFET功率場效應管，理想用于CPU的核心的DC - DC轉換器） |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | IRL3502S |
IRL3502S
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
11/97
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
Tape & Reel Information
D
2
Pak
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3705 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| IRL3705NL | (186.82 k) |
| IRL3705NS | (186.82 k) |
| IRL3705S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-252VAR |
| IRL3715STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRL3502SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRL3502SPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL3502STRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRL3502STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL3502STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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