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參數資料
| 型號： | IRL2910N |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRL2910N |
IRL2910
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 25
o
C
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
J
= 175
o
C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
2.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
1
10
100
1000
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 50V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 48A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3202S | 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
| IRL3202S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRL3303L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 38A I(D) | TO-262AA |
| IRL3402S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 85A I(D) | TO-263AA |
| IRL3402S | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRL2910PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 260mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL2910S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRL2910SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 55A 3PIN D2PAK - Rail/Tube |
| IRL2910SPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL2910SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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