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參數資料
| 型號： | IRFS30N20D |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRFS30N20D |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.3A
15A
18A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS340 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS341 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS351 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFB30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開關電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFS30N20DTRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFS3107-7PPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107TRL7PP | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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