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參數資料
| 型號： | IRF840R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 8A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | IRF840R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF841R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF842R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IRF843R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IRFAC40R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-204AA |
| IRFAC42R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.4A I(D) | TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF840RU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF840S | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF840ST | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB |
| IRF840STR | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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