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參數資料
| 型號： | IRF831FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 3A條（丁）|對220VAR |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IRF831FI |
IRF830AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
Package Outline
TO-262 Outline
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF832FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF833FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF830 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF830 | N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRF830 | POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF831R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF832 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRF8327STR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8327STRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF832FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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