| 型號: | IRF82 |
| 廠商: | 意法半導體 |
| 英文描述: | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| 中文描述: | N通道增強型功率MOSTRANSISTORS |
| 文件頁數: | 6/10頁 |
| 文件大小: | 168K |
| 代理商: | IRF82 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF822 | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF822FI | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF82FI | N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF830ASTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
| IRF830ASTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF820 | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF820_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF820-220 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-220FP | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-251 | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |