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參數資料
型號: IRF8010S
英文描述: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package
中文描述: 100V的單N溝道HEXFET功率MOSFET采用D2PAK封裝
文件頁數: 6/10頁
文件大小: 224K
代理商: IRF8010S
IRF8010S/IRF8010L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
E
A
ID
18A
32A
45A
TOP
BOTTOM
!
相關PDF資料
PDF描述
IRF820ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
IRF820ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-263AB
IRF820FI (169.47 k)
IRF821FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF82 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF8010SPBF 功能描述:MOSFET 100V N-CH HEXFET 15mOhms 81nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8010STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8010STRLPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRF8010STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF810 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk