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參數資料
| 型號： | IRF7809 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 17A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 17A條（丁）|蘇 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRF7809 |
www.irf.com
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IRF7809/IRF7811
SO-8 Package Outline
Part Marking Information
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7811 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 14A I(D) | SO |
| IRF7828 | 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7F3704 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-205AF |
| IRF7NA2907 | 75V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-2 package |
| IRF7NJZ44V | 60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7809A | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Chipset for DC-DC Converters |
| IRF7809ATR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7809AV | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7809AVHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7809AVPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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